高纯氮气主要用于电子工业,在集成电路、芯片(晶片)和相关元器件的生产过程中,高纯氮气与普通氮气相比,对以下条件有严格要求,目前一般要求总杂质含量集成电路要求:4ppm,芯片要求:1ppm或者更高,同时设计电子工业用高纯氮装置时,要重视装置所在大气组成的测定,且设计一定要留有余量。其难点和要点主要是一氧化碳、氢和水分的达标,为此,要采取不同的净除方法:(1)CO的净除:利用压缩机的压缩热,在触媒的帮助下,通过催化反应,除去一氧化碳,工业气体供应,可以使产品中所含CO降低到0.1ppm以下。(2)CO2的净除:通过分子筛床层吸附。(3)氢气等低沸点组分的净除:氢气,氦氖气都是沸点比氮气低的组分,在一氧化碳转化炉中,空气中的氢气生成水,工业气体哪家好,然后从冷凝蒸发器排出不凝气体,放空以使低沸点组分除去,但是其纯度仍然不够,仍需要通过特殊流程组织比如采用加设纯氮精馏辅塔,在液氮顶部设置冷凝器,底部设置再沸器,增大循环倍率来除去低沸点的氢气等杂质。4)甲烷等高沸点组分的净除:甲烷等烃类气体以及氪氙等稀有气体的沸点比氮气高得多,它们会全部浓缩到塔底的富氧液空中,达标没有问题。(5)水分的净除:通过分子筛床层吸附,同时水分有很高的沸点,达到要求没问题。(6)颗粒度:通过精密过滤器来满足。
氦气是一种无色、无嗅、无味的惰性气体,芜湖气体,分子量4. 00,在 21.1℃和101.33kPa下气体比重为0.138,沸点为-268.9℃,气体密度0.165kg /m3( 21. 1℃、101.33k Pa)。临界温度-267.9℃;临界压力 227kPa;临界密度 69.64kg /m3;在沸点温度和101.33k Pa下液体密度124.98kg/m3。氦气不可燃、无毒、微溶于水,是一种简单的窒息剂,可以气态或液态装运。
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